IGBT(Insulated Gate Bipolar Translator，绝缘栅双极型晶体管)，是由BJT(Bipolar Junction Transistor，双极结型晶体三极管)和MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型—电压驱动式—功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT模块具有多种特点（节能、安装维修方便、散热稳定等），推进了节能环保等理念。IGBT是能源变换与传输的核心器件，能够有效地提高用电效率和质量，是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑模块。
目前，围绕IGBT技术的提升和创新，无焊接、 无引线键合及无衬板/基板封装技术已逐渐得到普及和完善。而模块内部的温度监测NTC热敏芯片、电流传感器、驱动电路等功能元器件的加入，使IGBT的功率密度、集成度及智能度不断提升，有效地提高产品的成品率。
产品特点：
体积小、快速响应
良好的耐热循环能力
高稳定性、高可靠性
工作温度 -40 ℃ ~ +200 ℃
尺寸和参数都可以进行定制
体积小，尺寸可达0.3* 0.3mm
可应用于邦定工艺，使用金/铝/银焊线
高精度，可达±0.5%，±1%，±2%，±3%
随着IGBT技术的不断发展，其实际工作温度与功率密度也不断提高。为了保证IGBT能稳定工作，就需要高精度NTC热敏芯片加以辅助，帮助IGBT进行温度监测，避免工作温度过高，导致器件损坏。