惠斯通电桥。

尽管“Steinhart-Hart”方程以更高的准确度预测NTC行为，但是给定温度附近的微小变化更简单地由给定NTC的β（材料常数，单位同质到°C）建模。

 

假设R 0是给定参考温度T 0下的电阻，则可以从等式中以可接受的精度推导出温度T下 的NTC电阻R T.

R T = R 0 exp [β（1 / T-1 / T 0）]。

取其衍生物，我们获得

dR T = R 0 exp [β（1 / T - 1 / T 0）]×（- β /T²）dT，

并通过结合前两个结果，导致

dR T / R T =-β/T²dT。 （等式1）

惠斯通电桥在平衡附近运行，其中

R30 = R31 = R1且R32 R NTC = R T.

略有变化（DT）创建了一个变化的dR Ť的R Ť，产生V 小号（图7）：

V 小号 = -V ë ×R1 /（R1 + R Ť）²dR Ť （惠斯通电桥方程式2）

通过合并方程式1，我们得到了

V S / dT =β/T²×V e [R1 R T /（R1 + R T）²]。

最后一项可以被认为等于V n（V e -V n）/ V e so

V S / dT =β/T²×V n（V e -V n）/ V e

最后一个等式表明，一旦选择V e和V n以及适当的NTC ，惠斯通电桥的灵敏度很容易推断。例如，考虑激励电压V e为2.75V的电桥。为了消除与积分电容充电相关的长延迟，选择V n等于MAX1637参考电压（1.1V）。在25°C时，10kΩ的NTC热敏电阻在+ 35°C环境温度下显示3892°C的β（308K）。因此，我们可以依靠V s / dT = 27mV /°C 的输入灵敏度。

 

为保证0.1°C的稳定性，电子元件必须具有远低于2.7mV的偏移变化，这可通过高性能放大器轻松实现。例如，在-40°C至+ 85°C的温度范围内，MAX4250绝对偏移保证小于0.75mV。温度稳定性仅与偏移变化有关，在整个温度范围内通常为0.3μV/°C。对于±35°C的温度偏移，这意味着±10.5μV的变化，这相当于±0.004°C的典型误差！

 

由于NTC中的自加热引起的误差与其耗散常数（DC）有关。偏置电压为1.1V的10kΩ的NTC将耗散约0.12mW。典型的DC为2mW /°C（在自由空气中），自加热为0.06°C。但同样，只有当施加的电压发生变化时，温度稳定性才会引起关注，这在本申请中是不可能的。